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Daniel Paget
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Daniel PagetDirecteur de recherche CNRS, Ecole PolytechniquePh.D. 1981, Univerité de Paris XI, Orsay Mon activité de recherche est actuellement centrée sur la mise en œuvre d’un microscope tunnel polarisé en spin, utilisant une pointe de GaAs sous excitation lumineuse polarisée circulairement. Le courant tunnel doit dépendre de la polarisation de spin relative des électrons de la surface magnétique que l’on étudie et des électrons qui tunnelent. Ce sujet de recherche, développé dans notre laboratoire en collaboration avec Alistair Rowe, repose sur une collaboration avec l’Université de Clermont Ferrand, (Palaiseau) pour la fabrication des pointes, et Thales Research and Technology, pour celle des supports des pointes. Par rapport aux microscopes tunnel polarisés en spin utilisant des pointes magnétiques, l’injection d’électrons polarisés de spin générés par une excitation lumineuse présente plusieurs avantages : le spin des électrons est contrôlé par la polarisation de la lumière, et peut être modulé ce qui donne accès indépendamment aux informations topographiques et magnétiques de la surface étudiée. Par ailleurs, le magnétisme de la pointe semi-conductrice de GaAs étant négligeable, celui-ci ne peut perturber le magnétisme de la surface étudiée. Par ailleurs, je continue mon activité de recherche sur le traîtement des surfaces (100) de semi-conducteurs III-V, à la fois par l’azote, (en collaboration avec l’Institut Ioffe de Saint Petersbourg) qui permet de réaliser une passivation électronique et chimique quasi-idéale, et par HCl (en collaboration avec l’université de Novosibirsk) qui permet de préparer une surface reconstruite de très bonne qualité après recuit sous ultra-vide. Enfin, j'ai effectué récemment un travail théorique sur un thème proche de mon sujet de doctorat d'Etat. Dans des conditions de pompage optique, les électrons transfèrent leur polarisation de spin au système de spin nucléaires avec des applications potentielles au calcul quantique. Les champs hyperfins ressentis par les électrons, tout en étant gigantesques, de l'ordre de plusieurs kilogauss, sont inférieurs de près d'un ordre de grandeur à ce que l'on peut espérer. Nous proposons un mécanisme permettant d'expliquer cette perte d'orientation nucléaire, lié à l'interaction quadrupolaire des spins nucléaires. "Light-induced nuclear quadrupolar relaxation in semiconductors" D. Paget, T. Amand, and J. –P. Korb, Phys. Rev. B 77, 245201, (2008)
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SPSTM
III-V
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