Laboratoire de Physique de la Matière Condensée
Alistair Rowe
Chercheur au CNRS, Ecole Polytechnique
 |
courriel : alistair.rowe-at-polytechnique.edu ph: +33 (0)1 69 33 47 87 fax: +33 (0)1 69 33 47 99 ...un CV... |
Notre activité est principalement consacrée aux phénomènes de transport électronique et de transport de spin dans les semi-conducteurs et aux surfaces semi-conductrices. Plus particulièrement, nous développons deux projets soutenus par des financements ANR : le premier concerne l’étude de l’effet tunnel d’électrons polarisés de spin entre une pointe de GaAs et une surface métallique ; le second concerne l'étude de nouvelles formes de piézorésistance de surface et d'interface.
Dans le premier de ces deux projets, auquel participe aussi Daniel Paget, nous avons recemment montré sans ambiguïté que le courant tunnel entre une pointe en GaAs excitée en condition de pompage optique et une surface ferromagnétique, est modulé selon l’orientation relative des polarisations du spin électronique dans la pointe et à la surface. L’obtention de ce résultat, à laquelle d’autres équipes ont précédemment consacré des efforts infructueux, ouvre de nombreuses perspectives, comme par exemple, la microscopie à effet tunnel polarisé de spin (SPSTM). Le projet implique deux autres partenaires : l’Université de Clermont-Ferrand (E. Gil, LASMEA), où sont fabriquées les pointes en gaAs par épitaxie en phase vapeur, et IEMN, Lille (S. Arscott et E. Peytavit), où sont élaborés les supports de pointes en semi-conducteur III-V.Le deuxième des deux projets concerne un sujet très fortement débattu; la piézorésistance géante dans les nanofils de silicium. Notre travail est centrale à ce débat et on explore actuellement les propriétés des nanofils bottom-up de silicium sous contrainte mécanique. Ces travaux implique deux collaborateurs; Steve Arscott (IEMN Lille, France) et Christoph Renner (université de Genève, de la Suisse).