Une collaboration entre des équipes du C2N, du Synchrotron SOLEIL, du LSI et du PMC sur le plateau de Saclay et de l’UPMC à Paris a démontré que l’InSe présente un Gap direct d’environ 1.25 situé au point P de la zone de Brillouin. Les détails de la structure électroniques ont été obtenus en couplant la micro-spectroscopie tunnel, la photoémission à deux photons, la spectroscopie de photoémission résolue en angle.
Physical Review Materials 3,034004 (2019)
Dans la partie gauche de l’image nous comparons la carte de la structure de bande d’un cristal de InSe mesuré à T= 50K avec des photons de 60 eV dans la direction KP MK de la zone de Brillouin (en haut) avec la structure de bande résultant de calculs théoriques. Dans la partie droite de l’image on peut voir des coupes de la structure électronique dans le plan qui contient les points P, K et M. Les résultats obtenus soulignent le potentiel des semi-conducteurs III-VI pour les technologies photonique et électronique.
Ref : H. Henck, D. Pierucci, J. Zribi, F. Bisti, E. Papalazarou, J. C. Girard, J. Chaste1, F. Bertran, P. Le Fevre, F. Sirotti, L. Perfetti, C. Giorgetti, A. Shukla, J. E. Rault and A. Ouerghi1 Physical Review Materials 3,034004 (2019)