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Couplage électronique à l’interface de l’heterostructure F4-TCNQ/monocouche GaSe

par Anne-Marie - publié le

Les effets d’interface dans les hétérostructures hybrides entre des molécules organiques adsorbées sur une monocouche 2D de monochalcogénure métallique peuvent modifier significativement les propriétés électroniques de la couche 2D. Nous avons étudié, par spectroscopie d’électrons résolue en angle, les propriétés électroniques de l’interface entre la molécule F4-TCNQ et une monocouche de GaSe. Cette étude a montré un transfert d’électrons de la couche GaSe à la couche moléculaire de F4-TCNQ qui réduit la densité de charge négative du GaSe. Un déplacement des bandes du GaSe d’environ 0.16 eV vers les plus basses énergies de liaison est observé, une caractéristique importante pour envisager des applications en nanoélectronique. Cette étude a été réalisée dans le cadre d’une collaboration entre plusieurs laboratoires sur le plateau de Saclay (PMC, LSI, C2N et LPS), la ligne de lumière TEMPO à SOLEIL et Sorbonne Universités.

Ref : L. Khalil et al. Physical Review Materials 3, 084002 (2019)

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