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Accueil > Groupes scientifiques > Groupe Electrons Photons Surfaces > Dynamique d’électrons et de spin

Semi-conducteurs 2D

par Rowe Alistair - publié le , mis à jour le

La dynamique de spin des électrons dans les semi-conducteurs multi-vallées est complexe mais riche. Dans les matériaux dites "à gap direct" l’interaction spin-orbite donne lieu à une texturation en spin de la zone de Brillouin, tandis que les matériaux dites "à gap indirect" montrent un couplage entre les propriétés mécaniques du solide et les spins électroniques.

Contacts : Fabian Cadiz.

Dans les matériaux multi-vallées à gap "direct", nous explorons les propriétés optiques et électroniques de spin dans les semi-conducteurs bi-dimensionnelles comme MoS2 et ses hétéro-structures. La dynamique de spin et de vallée est étudiée par des expériences de micro-luminescence polarisée et de cathodo-luminescence résolue en spin. Pour plus d’informations contacter Fabian Cadiz.

Une image prise par microscopie optique (à gauche) ainsi qu’un dessin schématique (à droite) d’un hétéro-structure van der Waals fabriqué au laboratoire. L’échantillon consiste en quelques couches de graphite, le nitrure de bore héxagonale et une mono-couche atomique de MoS2.