Les dispositifs semi-conducteurs incorporent des alliages qui présentent un désordre intrinsèque de composition. Dans les composés à base de nitrures, du fait de la forte variation de l’énergie de bande interdite avec la composition, le désordre d’alliage induit des fortes variations spatiales du potentiel vu par les porteurs. Ces fluctuations sont à l’origine de phénomènes de localisation d’Anderson qui doivent se manifester fortement à température ambiante dans les propriétés de transport et de recombinaison du matériau. Dans le projet ELENID, nous développerons des approches spécifiques de spectroscopie et de microscopie pour étudier les effets du désordre quantique sur les processus électroniques dans les structures InGaN/GaN et AlGaN/Gan. En particulier, nous nous appuierons sur une expérience, que nous avons récemment développée au laboratoire, de micro-spectroscopie de luminescence sous injection locale par effet tunnel des porteurs (Figure ci-dessous). Ce projet sera conduit en collaboration avec le LASPE de l’Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL). Il sera financé par l’Agence National de la Recherche (ANR) et le Fonds National Suisse (FNS) dans le cadre de l’appel à projets de recherche collaboratif international (PRCI) franco-suisse.
Nos tutelles
