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The electric field-induced modifications of the spatial distribution of photoelectrons, photoholes, and electronic spins in optically pumped p + GaAs are investigated using a polarized luminescence imaging microscopy. At low pump intensity, application of an electric field reveals the tail of charge and spin density of drifting electrons. These tails disappear when the pump intensity is increased since a slight differential drift of photoelectrons and photoholes causes the buildup of a strong internal electric field. Spatial separation of photoholes and photoelectrons is very weak so that photoholes drift in the same direction as photoelectrons, thus exhibiting a negative effective mobility. In contrast, for a zero electric field, no significant ambipolar diffusive effects are found in the same sample.
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18 mai 2018

50 ans du pompage optique dans les semi-conducteurs

En 1968, le pompage optique dans les semi-conducteurs a été découvert par Georges lampel à l’Ecole polytechnique. Le symposium célèbrera cinquante ans de recherche prolifique sur la physique du spin (...)

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9 janvier 2018

Prix de thèse pour Marco Piccardo

Prix de thèse de l’Universite’ Paris-Saclay
Marco Piccardo vient d’obtenir un prix dans la filière “Materiaux Innovants et Applications” pour sa thèse de l’Ecole Polytechnique intitulée "Spectroscopie (...)

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22 décembre 2017

"Prix poster" pour Cassiana Andrei

Cassiana Andrei, doctorante au Laboratoire PMC a reçu le `prix poster` du pole Matériaux Innovants et Applications lors de la journée de l’Ecole doctorale Interfaces le 19 décembre 2017. Ce poster (...)

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17 décembre 2017

Electrochimie : le projet SEE finance par l’ANR

Le développement de nouvelles biotechnologies est lié à notre bonne compréhension des systèmes biologiques et notre capacité à intégrer effacement des biomolécules telles que des enzymes redox au sein (...)

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11 décembre 2017

Deux projets concernant l’effet de la contrainte mécanique sur les propriétés électronique des semi-conducteurs financés par l’ANR

Une contrainte mécanique est capable de modifier la structure électronique des solides ainsi que la dynamique des porteurs de charge électronique. De cette façon la contrainte, encore peu utilisée, (...)

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