Nos tutelles

CNRS

Rechercher




Accueil > Groupes scientifiques > Groupe Electrons Photons Surfaces > Propriétés électromécaniques des nanostructures

Piézorésistance à forte contrainte

par Rowe Alistair - publié le , mis à jour le

La piézorésistance de silicium, connue depuis les années 50s, a été mesuré à très faible contrainte en tension. A forte contrainte ou bien en compression, le comportement n’est pas la même. Mieux connaître la piézorésistance à forte contrainte est important pour les nanostructures qui présentent une constriction mécanique naturelle, et pour la technologie dite ’silicium sous contrainte’ déjà employée dans les circuits microélectroniques.

Contact : Alistair Rowe

La piézorésistance du silicium n’est pas une fonction symétrique de la contrainte appliquée. Elle est différente en tension et en compression, faite qui est souvent oublié dans les textes. Nous avons démontré que sous contrainte compressive allant jusqu’à 3 GPa, la piézorésistance la-longue de la direction <110> ne sature pas. C’est un résultat inattendu qui aura de l’importance pour la technologie dite de ’silicium sous contrainte’ développé par Intel dans les années 2000.

Silicium après sollicitation sous forte compression
Évolution d’un morceau de silicium au cours de l’application cyclique d’une forte contrainte (3 GPa) en compression.

De plus, bien connaître la piézorésistance sous forte contrainte est potentiellement importante pour une meilleur compréhension de la piéorésistance des nano-objets qui concentrent et augment la contrainte locale.