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Dynamique de spin et vallée dans les nouveaux semi-conducteurs 2D : le projet SpinCAT financé par l’ANR

par Anne-Marie - publié le

La microélectronique du futur requiert la miniaturisation des dispositifs jusqu’à des échelles nanométriques et l’exploitation de propriétés électroniques nouvelles, absentes dans les matériaux conventionnels à base de silicium ou d’arséniure de gallium. L’une des principales pistes envisagée concerne l’incorporation de composés ultra minces bidimensionnels (2D) tels que MoS2 qui révèlent des propriétés inédites, très prometteuses pour des applications dans les domaines de l’électronique, de l’optoélectronique et de la vallée-tronique. Le projet « SpinCAT » cherche à explorer le couplage inédit entre les degrés de liberté de spin et d’impulsion (« vallée ») des électrons dans ces composés avec des techniques expérimentales originales capables de sonder la structure électronique d’une vaste variété de matériaux 2D et leurs hétérostructures. Le développement d’une spectroscopie de cathodoluminescence résolue en spin sera complété par des mesures de luminescence sous injection tunnel. Ce projet beneficiera des développements récents dans les techniques de fabrication des échantillons et d’un environnement scientifique qui favorise l’interaction avec des théoriciens et experts en physique de la matière condensée.