Ces dernières années, nous abordons l’étude des composés, hétérostructures et dispositifs en nitrures semi-conducteurs par des techniques de spectroscopie électronique et de microscopie à sonde locale originales qui permettent d’accéder directement aux mécanismes de transport et de recombinaison aux échelles pertinentes. Principalement trois problématiques sont abordées : la spectroscopie du transport dans les dispositifs III-N, la structure électronique des alliages III-N, les effets de localisation induite par le désordre de composition dans les hétérostructures incorporant des alliages ternaires. Ces travaux sont réalisés en collaboration avec L’Université de Californie à Santa Barbara (UCSB), l’Université Nationale de Taiwan (NTU), l’Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) et le groupe de Physique de l’Irrégularité de notre laboratoire.
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Processus électroniques dans les nitrures semi-conducteurs
publié le , mis à jour le
Le GaN, semi-conducteur à grand gap, et les alliages de la même famille (InGaN, AlGaN…) sont des matériaux clés pour les applications dans les domaines de l’électronique haute puissance et de l’éclairage. Dans ces secteurs, les enjeux sont considérables dans la mesure où la filière nitrure devrait permettre de réduire fortement la consommation d’énergie électrique. Mais, malgré les progrès rapides qui ont permis l’émergence de la technologie nitrure à l’échelle industrielle, les propriétés intrinsèques des composés III-N et les mécanismes qui gouvernent les performances des dispositifs restent encore mal connus.