Contacts : Jacques Peretti ou Lucio Martinelli
Différents mécanismes sont proposés pour expliquer la fuite des porteurs de la zone active (puits quantiques) à forte densité de porteur, en particulier des mécanismes de recombinaison Auger qui sont connus pour limiter les performances d’autres dispositifs optoélectroniques (lasers, cellule solaire…). Nous avons récemment abordé ce problème en collaboration avec l’équipe de J. Speck au Département des Matériaux de l’Université de Californie de Santa Barbara (UCSB). Notre approche, tout à fait originale, est basée sur des techniques de spectroscopie électronique à très basse énergie que nous avons développées au laboratoire pour l’étude des photocathodes semi-conductrices en affinité négative. Ces techniques nous ont permis de mesurer le spectre des électrons émis par une LED en GaN sous injection électrique des porteurs, c’est-à-dire ne condition de fonctionnement. Nous avons ainsi mis en évidence une contribution significative d’électrons énergétiques à forte densité de courant injecté (Figure 4). L’origine de ce pic d’électrons énergétiques peut être attribuée à un processus Auger dans les puits quantiques.
