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The electric field-induced modifications of the spatial distribution of photoelectrons, photoholes, and electronic spins in optically pumped p + GaAs are investigated using a polarized luminescence imaging microscopy. At low pump intensity, application of an electric field reveals the tail of charge and spin density of drifting electrons. These tails disappear when the pump intensity is increased since a slight differential drift of photoelectrons and photoholes causes the buildup of a strong internal electric field. Spatial separation of photoholes and photoelectrons is very weak so that photoholes drift in the same direction as photoelectrons, thus exhibiting a negative effective mobility. In contrast, for a zero electric field, no significant ambipolar diffusive effects are found in the same sample.
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4 septembre 2019

Du nouveau dans les travaux sur le paysage de localisation

Dans un article de trois pages paru en ligne dans le Journal Club for Condensed Matter Physics, (un site où des chercheurs reconnus commentent une fois par mois quelques articles marquants de la (...)

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29 août 2019

Couplage électronique à l’interface de l’heterostructure F4-TCNQ/monocouche GaSe

Les effets d’interface dans les hétérostructures hybrides entre des molécules organiques adsorbées sur une monocouche 2D de monochalcogénure métallique peuvent modifier significativement les propriétés (...)

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22 juillet 2019

Evidence d’une transition optique dans la structure électronique dans des cristaux bidimensionnels de Séléniure d’Indium.

Une collaboration entre des équipes du C2N, du Synchrotron SOLEIL, du LSI et du PMC sur le plateau de Saclay et de l’UPMC à Paris a démontré que l’InSe présente un Gap direct d’environ 1.25 situé au (...)

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22 juillet 2019

Transient quantum isolation and critical behavior in the magnetization dynamics of half-metallic manganites

Une collaboration internationale entre groupes Italiens, Allemands, Japonais, Français et Britanniques a étudié la dynamique de relaxation des électrons délocalisés dans un manganite semi-métallique (...)

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16 juillet 2019

Blocage de la diffusion de porteurs dans un semi-conducteur

La diffusion est un phénomène très général qui tend à rendre uniforme la composition d’un milieu dès que celui-ci est spatialement inhomogène. Il a été décrit dès le 19e siècle par des lois (loi de Fick) (...)

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