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The electric field-induced modifications of the spatial distribution of photoelectrons, photoholes, and electronic spins in optically pumped p + GaAs are investigated using a polarized luminescence imaging microscopy. At low pump intensity, application of an electric field reveals the tail of charge and spin density of drifting electrons. These tails disappear when the pump intensity is increased since a slight differential drift of photoelectrons and photoholes causes the buildup of a strong internal electric field. Spatial separation of photoholes and photoelectrons is very weak so that photoholes drift in the same direction as photoelectrons, thus exhibiting a negative effective mobility. In contrast, for a zero electric field, no significant ambipolar diffusive effects are found in the same sample.
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10 avril 2019

Un second « prix poster » pour Cassiana Andrei

C’est en décembre 2017 que Cassiana Andrei, doctorante au Laboratoire PMC, a reçu le « prix poster » du pôle Matériaux Innovants et Applications lors de la journée de l’Ecole doctorale Interfaces. (...)

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11 mars 2019

La réponse du silicium à une contrainte mécanique amplifiée par les défauts cristallins

Une plaquette commerciale de silicium présente des variations géantes de résistance électrique lorsqu’elle est soumise à une contrainte mécanique. Cet effet, appelé piézo-résistance, est à la base des (...)

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18 février 2019

La naissance miraculeuse des flocons de neige

Par Tristan Vey
La diversité et la complexité des flocons de neige fascinent depuis longtemps les physiciens qui n’ont pas encore levé tous les mystères de leur formation. La neige qui tombe (...)

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31 janvier 2019

Modification des propriétés électroniques d’une surface de silicium avec une contrainte mécanique

Aujourd’hui la contrainte mécanique est utilisée dans la micro-électronique pour améliorer les performances des dispositifs. Ceci est possible parce que la contrainte modifie ce qu’on appelle la (...)

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19 décembre 2018

Dynamique de spin et vallée dans les nouveaux semi-conducteurs 2D : le projet SpinCAT financé par l’ANR

La microélectronique du futur requiert la miniaturisation des dispositifs jusqu’à des échelles nanométriques et l’exploitation de propriétés électroniques nouvelles, absentes dans les matériaux (...)

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