Depuis, nous avons développé plusieurs techniques expérimentales dans le but d’étudier la relaxation de spin dans les semi-conducteurs. Ce sont la spectroscopie de photoluminescence polarisée, la spectroscopie électronique à très basse énergie résolue en spin, la cathodoluminescence polarisée et, plus récemment la micro-luminescence polarisée et les techniques magnétometriques sensibles comme la magnéto-optique.
Parmi les résultats importants obtenus, on peut citer les études approfondies de la relaxation de spin dans GaAs, le développement de sources d’électrons polarisés de spin, de filtres à spin à base de couches minces magnétiques et la mise en évidence de nouveaux phénomènes de couplage charge/spin lors du transport d’électrons polarisés de spin.